硒化前后电沉积贫铜和富铜的Cu(In1-xGax)Se2薄膜成分及结构的比较

• 作者: 何青 周志强 孙云 孙国忠 敖建平 杨亮 闫礼
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: Cu(In1-xGax)Se2薄膜 电沉积 硒化处理 贫铜或富铜薄膜
• 年，卷（期）: 2009,（3）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:结构、热学和力学性质
• 页码范围: 1870-1878
• 页数: 9页
• 分类号: O4
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-3290.2009.03.077

摘要

采用电沉积法获得了接近化学计量比的贫铜和富铜的Cu(In1-xGax)Se2(CIGS)预置层,研究比较了两种预置层及其硒化处理后的成分和结构特性.得到了明确的实验证据证明,硒化后富铜薄膜中的CuxSe相会聚集凝结成结晶颗粒分散在表面.研究表明:在固态源硒化处理后,薄膜成分基本不变;当预置层中原子比Cu/(In+Ga)<1.1时,硒化后薄膜表面存在大量的裂纹;而当Cu/(In+Ga) >1.2时,可以消除裂纹的产生,形成等轴状小晶粒;富铜预置层硒化时蒸发沉积少量In,Ga和Se后,电池效率已达到6.8%;而贫铜预置层硒化后直接制备的电池效率大于2%,值得进一步深入研究.