电化学脉冲腐蚀制备均匀发光多孔硅

• 作者: 兰燕娜 尹延锋 朱会丽 莫育俊
• 来源期刊: 河南大学学报(自然科学版)
• 学科: 化学
• 关键词: 多孔硅 脉冲腐蚀 荧光 直流腐蚀 电镜
• 年，卷（期）: 2006,（2）
• 所属期刊栏目: 化学与化工
• 页码范围: 47-49
• 页数: 3页
• 分类号: O646.6
• 字数: 2305字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-4978.2006.02.011

摘要

采用脉冲腐蚀和直流电化学腐蚀两种方法制备多孔硅,对这两种方法制备的多孔硅样品进行了扫描电镜和荧光光谱测量,发现脉冲腐蚀制备的多孔硅样品比直流腐蚀制备的多孔硅样品表面均匀、硅丝或者硅柱的尺寸较小、发光强度大,而且发光峰位有明显.的蓝移现象.同时我们还发现多孔硅样品的尺寸越小其能带越宽,由此得出多孔硅样品的发光现象符合量子限域解释的多孔硅的发光机制.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	莫育俊	河南大学光学与光电子技术研究所	54	333	10.0	14.0
2	尹延锋	河南大学光学与光电子技术研究所	5	27	4.0	5.0
3	兰燕娜	河南大学光学与光电子技术研究所	5	23	4.0	4.0
4	朱会丽	河南大学光学与光电子技术研究所	3	16	3.0	3.0