一种用于深亚微米电路模拟的高精度MOST宏模型

• 作者: 叶云飞 吴昊 张婷 徐太龙 柯导明 洪琪 陈军宁
• 来源期刊: 安徽大学学报（自然科学版）
• 学科: 工学
• 关键词: 深亚微米MOST 函数拟合 电路模拟
• 年，卷（期）: 2006,（5）
• 页码范围: 37-40
• 页数: 4页
• 分类号: TN386.1
• 字数: 1678字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-2162.2006.05.011

摘要

提供了一种新的方法,用于建立深亚微米电路中MOST的伏安特性方程.该方法根据深亚微米MOST的数值模拟结果或实测结果,直接将小尺寸MOST特性方程用函数拟合技术,在Matlab中用程序实现,所建立的伏安特性方程没有非饱和区、饱和区的间断点,是一个不分区间的统一表达式.对所得到的结果进行了计算验证,证明了建模方法和结果的正确性.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	柯导明	安徽大学电子科学与技术学院	83	423	10.0	17.0
2	陈军宁	安徽大学电子科学与技术学院	160	1135	16.0	26.0
3	徐太龙	安徽大学电子科学与技术学院	23	59	5.0	5.0
4	洪琪	安徽大学电子科学与技术学院	19	27	3.0	4.0
5	张婷	安徽大学电子科学与技术学院	53	103	5.0	8.0
6	吴昊	安徽大学电子科学与技术学院	18	91	6.0	9.0
7	叶云飞	安徽大学电子科学与技术学院	5	3	1.0	1.0