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摘要:
用电弧放电法制备了碳化硅(SiC)纳米棒.将摩尔分数为50%C,25% SiO2和25% Si粉末充分混合,填入已在中心钻孔的石墨棒中,作电弧放电阳极,水冷铜块作阴极,腔内充66.5kPa氩气,放电电流为80A.分析放电后沉积在腔内壁的粉末,高分辨率透射电镜照片表明:粉末中有结晶良好的SiC纳米棒,直径约10~20 nm,长径比为10以上,并且纳米棒头部缀有金属纳米粒子.X射线衍射分析表明:粉体中主相为β-SiC,有少量Cu,Raman光谱中775 cm-1有1个尖锐峰.分析认为,少量阴极材料Cu被电弧蒸发作为催化剂并由气液固过程生成了SiC纳米棒.
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关键词云
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文献信息
篇名 电弧放电制备碳化硅纳米棒
来源期刊 硅酸盐学报 学科 工学
关键词 碳化硅 纳米棒 电弧放电 气液固过程
年,卷(期) 2006,(10) 所属期刊栏目 简报
研究方向 页码范围 1283-1286
页数 4页 分类号 TB71|TB383
字数 2421字 语种 中文
DOI 10.3321/j.issn:0454-5648.2006.10.024
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 凌一鸣 东南大学电子工程系 18 233 8.0 15.0
2 吴旭峰 东南大学电子工程系 13 138 7.0 11.0
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1957
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