基本信息来源于合作网站,原文需代理用户跳转至来源网站获取       
摘要:
用Monte Carlo方法计算了双层封装结构Al/Au-Si, Kovar/Au-Si, Au/Al-Si和Au/Kovar-Si对不同能量X射线在Si中的剂量增强系数, 并进行比较. 结果确定了半导体器件Si中的剂量增强灵敏区大小, 并且得到了这四种封装结构在Si中灵敏区不同位置处的剂量增强系数及引起剂量增强的X射线能量范围.
推荐文章
金/硅界面X射线剂量增强效应的Monte Carlo模拟
Monte Carlo模拟
X射线
低能电子
剂量增强系数
PMOSFET低剂量率辐射损伤增强效应研究
PMOSFET
退火效应
低剂量率辐射损伤增强效应
浮栅ROM器件x射线剂量增强效应实验研究
EEPROM
x射线
剂量增强剂量效应
同步辐射
内容分析
关键词云
关键词热度
相关文献总数  
(/次)
(/年)
文献信息
篇名 X射线对双层封装材料剂量增强效应的影响
来源期刊 吉林大学学报(理学版) 学科 物理学
关键词 Monte Carlo方法 X射线 封装材料 剂量增强系数
年,卷(期) 2006,(4) 所属期刊栏目 物理
研究方向 页码范围 637-640
页数 4页 分类号 O434.1
字数 1416字 语种 中文
DOI 10.3321/j.issn:1671-5489.2006.04.025
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 周银行 吉林大学物理学院 8 37 3.0 6.0
2 马玉刚 吉林大学物理学院 33 101 6.0 9.0
3 刘少林 吉林大学电子科学与工程学院 3 6 2.0 2.0
4 孙亮 吉林大学物理学院 9 65 4.0 8.0
5 赵广义 吉林大学物理学院 17 50 3.0 6.0
6 马纯辉 吉林大学物理学院 4 21 2.0 4.0
传播情况
(/次)
(/年)
引文网络
引文网络
二级参考文献  (3)
共引文献  (6)
参考文献  (4)
节点文献
引证文献  (3)
同被引文献  (3)
二级引证文献  (3)
1975(2)
  • 参考文献(1)
  • 二级参考文献(1)
1982(1)
  • 参考文献(0)
  • 二级参考文献(1)
1986(1)
  • 参考文献(0)
  • 二级参考文献(1)
1997(1)
  • 参考文献(1)
  • 二级参考文献(0)
2001(2)
  • 参考文献(2)
  • 二级参考文献(0)
2006(0)
  • 参考文献(0)
  • 二级参考文献(0)
  • 引证文献(0)
  • 二级引证文献(0)
2008(1)
  • 引证文献(1)
  • 二级引证文献(0)
2009(1)
  • 引证文献(1)
  • 二级引证文献(0)
2010(2)
  • 引证文献(0)
  • 二级引证文献(2)
2013(1)
  • 引证文献(0)
  • 二级引证文献(1)
2014(1)
  • 引证文献(1)
  • 二级引证文献(0)
研究主题发展历程
节点文献
Monte Carlo方法
X射线
封装材料
剂量增强系数
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
吉林大学学报(理学版)
双月刊
1671-5489
22-1340/O
大16开
长春市南湖大路5372号
12-19
1955
chi
出版文献量(篇)
4812
总下载数(次)
6
总被引数(次)
24333
论文1v1指导