LCoS芯片p-n结光生电流理论分析

• 作者: 刘明 李大勇 欧毅
• 来源期刊: 液晶与显示
• 学科: 工学
• 关键词: LCoS p-n结 光生漏电流 挡光层
• 年，卷（期）: 2006,（1）
• 所属期刊栏目: 研究报告
• 页码范围: 24-28
• 页数: 5页
• 分类号: TN141.9
• 字数: 2341字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1007-2780.2006.01.006

摘要

LCoS中像素有源驱动电路受到光照后会在p-n结上产生光生漏电流,而光生漏电流的产生会引起LCoS的图像对比度退化,直接影响其成像质量.从光学和半导体器件物理两方面出发,分析了光生漏电流的产生机理,指出了影响漏电流大小的主要因素是入射光功率和挡光层的厚度.以Al膜作为挡光层材料,实际测量了不同厚度Al膜在可见光范围内的反射率,并在测量数据的基础上分别计算了不同情况下的光生电流的大小.当Al膜厚度为50 nm时,光生电流最大仅为5.15×10-10A,可以抑制光生漏电流的产生,满足了LCoS的实际使用时的要求.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘明	中国科学院微电子研究所纳米加工与新器件集成技术实验室	207	1983	20.0	38.0
2	欧毅	中国科学院微电子研究所纳米加工与新器件集成技术实验室	17	77	5.0	7.0
3	李大勇	中国科学院微电子研究所纳米加工与新器件集成技术实验室	3	4	1.0	1.0