由等价掺杂转换理论得到非对称线性缓变P-N结的击穿特性

• 作者: 何进 张兴
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 非对称线性缓变P-N结 击穿电压 等价掺杂转换理论
• 年，卷（期）: 2002,（2）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 183-187
• 页数: 5页
• 分类号: O47
• 字数: 610字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2002.02.015

摘要

基于等价掺杂转换理论的应用,得到了解析计算非对称线性缓变P-N结击穿特性.由于非对称线性缓变P-N结是单扩散P-N结的一个恰当近似,因而,研究其击穿特性可以更好地理解和设计功率器件P-N结的终端结构.运用等价掺杂转换方法的基本理论得到了不同扩散掺杂梯度和衬底浓度组合系列的击穿电压.研究了最大耗尽层宽度在扩散侧和衬底侧的扩展,给出了它们随扩散掺杂梯度和衬底浓度组合的变化而出现的不同特点.本方法预言的最大击穿电压较之单纯的突变结和对称线性缓变P-N结更接近文献报道的结果,显示了等价掺杂转换理论的理论计算非对称线性缓变P-N结击穿电压的有效性.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张兴	北京大学微电子学研究所	120	618	12.0	20.0
2	何进	北京大学微电子学研究所	24	84	5.0	8.0