4H-SiC在Cl2+Ar混合气体中的ICP刻蚀工艺研究

• 作者: 李跃进 杨银堂 柴常春 贾护军
• 来源期刊: 真空科学与技术学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 碳化硅 刻蚀 感应耦合等离子体 刻蚀速率
• 年，卷（期）: 2006,（6）
• 所属期刊栏目: 技术交流
• 页码范围: 500-503
• 页数: 4页
• 分类号: O484
• 字数: 2297字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1672-7126.2006.06.014

摘要

采用Cl2+Ar作为刻蚀气体进行了单晶4H-SiC材料的感应耦合等离子体(ICP)刻蚀工艺研究,分析了气体流量、气体混合比、反应室压力、ICP功率等工艺参数对刻蚀速率和刻蚀质量的影响.得到的最大蚀速率为194 nm/min,表面均方根粗糙度为1.237 nm,Cl/Si原子浓度比约为0.97%∶99.3%.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杨银堂	西安电子科技大学宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室	420	2932	23.0	32.0
2	贾护军	西安电子科技大学宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室	25	131	7.0	10.0
3	李跃进	西安电子科技大学宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室	70	432	11.0	17.0
4	柴常春	西安电子科技大学宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室	80	592	15.0	19.0