纳米双栅MOSFETs的量子格林函数模拟

• 作者: 孙建平 王伟 顾宁
• 来源期刊: 东南大学学报（自然科学版）
• 学科: 工学
• 关键词: 非平衡格林函数 双栅MOS 量子模型
• 年，卷（期）: 2006,（6）
• 页码范围: 917-919
• 页数: 3页
• 分类号: TP4
• 字数: 1822字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1001-0505.2006.06.009

摘要

采用一种量子动力学模型研究纳米MOSFET(场效应管)电流特性.该模型基于二维NEGF(非平衡格林函数)方程和Poisson方程自洽全量子数值解.使用该方法研究了纳米双栅MOSFET结构尺寸对电流特性的影响.模拟结果显示:越细长的沟道,器件的短沟效应越弱,器件的亚阈值斜率随栅氧化层增厚而加大.另外,通过分析器件不同区域的散射自能效应,得出减缓纳米双栅MOSFET电流性能下降的途径.所用模型具有概念清晰,求解稳定等特点.作为多体量子模型,本方法可应用于一维量子线及量子点阵列所构成的纳米器件,并有望在纳米MOSFET器件设计中得以应用.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	顾宁	东南大学生物电子学国家重点实验室江苏省生物材料与器件重点实验室	182	1683	20.0	32.0
2	王伟	东南大学生物电子学国家重点实验室江苏省生物材料与器件重点实验室	129	949	16.0	25.0
6	孙建平	美国密西根大学电气工程和计算机科学系	5	22	3.0	4.0