低阈值高效率InAlGaAs量子阱808 nm激光器

• 作者: 李建军 沈光地 邓军 邹德恕 韩军
• 来源期刊: 中国激光
• 学科: 工学
• 关键词: 激光器 InAlGaAs量子阱 金属有机物化学气相淀积
• 年，卷（期）: 2006,（9）
• 所属期刊栏目: 激光器件
• 页码范围: 1159-1162
• 页数: 4页
• 分类号: TN2
• 字数: 2340字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0258-7025.2006.09.002

摘要

以Al0.3Ga07As/InAlGaAs/Al03Ga07As压应变量子阱代替传统的无应变量子阱作为有源区,实现降低808 nm半导体激光器的阈值电流,并提高器件的效率.首先优化设计了器件结构,并利用金属有机物化学气相淀积(MOCVD)进行了器件的外延生长.通过优化外延生长条件,保证了5.08 cm片内的量子阱(QW)光致发光(PL)光谱峰值波长均匀性达0.1%.对于条宽为50 μm,腔长为750 μm的器件,经镀膜后的阈值电流为81mA,斜率效率为1.22 W/A,功率转换效率达53.7%.变腔长实验得到器件的腔损耗仅为2 cm-1,内量子效率达90%.结果表明,压应变量子阱半导体激光器具有更优异的特性.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	沈光地	北京工业大学北京光电子技术实验室	192	1444	18.0	29.0
2	邓军	北京工业大学北京光电子技术实验室	57	219	7.0	10.0
3	韩军	北京工业大学北京光电子技术实验室	39	181	7.0	11.0
4	李建军	北京工业大学北京光电子技术实验室	52	234	7.0	12.0
5	邹德恕	北京工业大学北京光电子技术实验室	58	270	10.0	12.0