大功率宽面808nm GaAsP/AlGaAs量子阱激光器分别限制结构设计

• 作者: 冯小明 林涛 王俊 郑凯 马骁宇
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 大功率808nm半导体激光器 GaAsP/AlGaAs量子阱激光器 分别限制异质结构
• 年，卷（期）: 2005,（12）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 2449-2454
• 页数: 6页
• 分类号: TN248.4
• 字数: 4490字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2005.12.034

摘要

本文对有源区条宽100μm的GaAsP/AlGaAs 808nm量子阱激光器分别限制结构进行了理论分析和设计.选取了三种情况的波导层和限制层的铝组分,分别计算和分析了波导层厚度与激光器光限制因子、最大出光功率、垂直发散角和阈值电流密度的函数关系.根据计算结果可知:当波导层和限制层铝组分为0.4和0.5时,采用窄波导结构可以获得器件的最大输出功率为11.2W,发散角为19°,阈值电流密度为266A/cm2;采用宽波导结构可以得到器件的最大输出功率为9.4W,发散角为32°,阈值电流密度为239A/cm2.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王俊	中国科学院半导体研究所光电子器件国家工程中心	130	1155	16.0	27.0
2	郑凯	中国科学院半导体研究所光电子器件国家工程中心	15	61	6.0	7.0
3	马骁宇	中国科学院半导体研究所光电子器件国家工程中心	93	616	12.0	21.0
4	林涛	中国科学院半导体研究所光电子器件国家工程中心	31	404	9.0	19.0
5	冯小明	中国科学院半导体研究所光电子器件国家工程中心	14	131	7.0	11.0