一种BiCMOS过温保护电路

• 作者: 常昌远 谭春玲 邹一照
• 来源期刊: 电子器件
• 学科: 工学
• 关键词: 过温保护电路 BiCMOS PTAT电流源
• 年，卷（期）: 2006,（2）
• 页码范围: 357-359,364
• 页数: 4页
• 分类号: TN709
• 字数: 2698字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1005-9490.2006.02.016

摘要

在分析现有过温保护电路的基础上,针对它们电路结构复杂、功耗较高、工作电压高等缺点提出了一种用于集成电路内部的采用BiCMOS工艺的过温保护电路,电路结构简单、功耗较低、工作电压低、抗干扰能力强,对温度的迟滞特性避免了热振荡对芯片带来的危害.采用0.6 μm BiCMOS工艺的HSPICE仿真结果表明,该电路对因电源电压、和工艺参数变化而引起的温度迟滞特性的漂移具有很强的抑制能力.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	常昌远	东南大学微电子中心	50	471	14.0	19.0
2	邹一照	东南大学微电子中心	5	79	4.0	5.0
3	谭春玲	东南大学微电子中心	6	85	5.0	6.0