一种制备Au/n-Al0.3Ga0.7N横向肖特基二极管的方法

• 作者: 丁嘉欣 司俊杰 孙维国 张国义 成彩晶 赵岚 赵鸿燕 陈志忠 鲁正雄
• 来源期刊: 半导体光电
• 学科: 工学
• 关键词: MSM 横向肖特基二极管 理想因子 势垒高度 响应率 光谱响应
• 年，卷（期）: 2006,（6）
• 所属期刊栏目: 光电器件
• 页码范围: 694-697
• 页数: 4页
• 分类号: TN36
• 字数: 1452字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-5868.2006.06.011

摘要

用MOCVD生长未掺杂n-Al0.3Ga0.7N制备了MSM结构紫外探测器,并通过电击穿MSM右边肖特基势垒而制成了横向肖特基二极管.器件在零偏电压处的背景光电流为87.3 pA.从器件的室温I-V特性曲线计算出理想因子n、零偏势垒高度B0和串联电阻RS分别为1.99、0.788 eV和10.2 kΩ.器件在305 nm波长处有陡峭的截止边,300 nm峰值波长处电流响应率为0.034 A/W.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	陈志忠	北京大学物理系	12	173	5.0	12.0
2	张国义	北京大学物理系	49	229	9.0	13.0
3	鲁正雄		19	80	5.0	7.0
4	司俊杰		33	160	7.0	11.0
5	赵鸿燕		25	147	7.0	11.0
6	丁嘉欣		13	43	3.0	6.0
7	成彩晶		12	22	3.0	3.0
8	赵岚		8	21	3.0	4.0
9	孙维国		20	99	5.0	8.0