双温区生长CdSe单晶及其红外表征

• 作者: 任锐 何知宇 叶林森 朱世富 李佳伟 温才 王瑞林 赵北君 钟雨航
• 来源期刊: 功能材料
• 学科: 化学
• 关键词: 硒化镉 晶体生长 气相垂直提拉 电阻率 红外表征
• 年，卷（期）: 2006,（11）
• 所属期刊栏目: 研究与开发
• 页码范围: 1746-1748
• 页数: 3页
• 分类号: O6
• 字数: 1917字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1001-9731.2006.11.018

摘要

硒化镉晶体是一种很有前途的室温核辐射探测器半导体材料,实验采用改进的双温区气相垂直提拉法成功的生长了Φ15mm×40mm,电阻率为107～108(Ω·cm)量级的硒化镉单晶体.对生长的硒化镉单晶体(110)解理晶片进行XRD、红外透过测试,结果显示:硒化镉单晶体完整性好,红外透过率＞62%,表明用二步提纯,在具有较好温度梯度的双温区炉中生长晶体,能有效地控制杂质、缺陷浓度和晶体的化学配比.