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宽带GaAs MMIC功率放大器的设计
宽带
MMIC
功率
HFET
有耗匹配
基于 SiGe HBT的射频功率放大器
功率放大器
SiGe异质结双极型晶体管
功率
S参数
基于 SiGe 工艺的线性功率放大器设计
SiGe HBT工艺
线性
功率放大器
自适应偏置
PHEMT MMIC功率放大器设计与实现
赝配高电子迁移率晶体管
微波单片集成电路
功率放大器
增益
内容分析
关键词云
关键词热度
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文献信息
篇名 瑞萨科技开发SiGe功率放大器MMIC
来源期刊 半导体信息 学科 工学
关键词 MMIC SIGE 瑞萨科技 功率增益 放大电路 电流消耗 消耗电流 封装面积 电子材料
年,卷(期) 2006,(4) 所属期刊栏目
研究方向 页码范围 20-20
页数 1页 分类号 TN722
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研究主题发展历程
节点文献
MMIC
SIGE
瑞萨科技
功率增益
放大电路
电流消耗
消耗电流
封装面积
电子材料
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
半导体信息
双月刊
16开
南京市1601信箱43分箱(南京市中山东
1990
chi
出版文献量(篇)
5953
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11
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