碳化硅涂层的离子注入沉积改性

• 作者: 吴守军 张立同 徐永东 成来飞 李舵 沈季雄
• 来源期刊: 材料导报
• 学科: 工学
• 关键词: 碳/碳化硅复合材料 碳化硅涂层 离子注入和沉积 抗氧化
• 年，卷（期）: 2006,（7）
• 所属期刊栏目: 材料研究
• 页码范围: 138-140
• 页数: 3页
• 分类号: TB332
• 字数: 3553字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1005-023X.2006.07.039

摘要

采用全方位离子注入和沉积(Plasma Immersion Ion Implantation and Deposition,PⅢ&D),在SiC涂层表面形成注入沉积改性层(改性元素Al和Si),观察了离子注入和沉积对涂层表面裂纹的封填情况,分析了离子注入和沉积后涂层表面的相组成,考核了离子注入和沉积对SiC-C/SiC材料抗氧化性能的影响.实验结果表明:注入Al再注入沉积Si改性后显著降低复合材料在1300℃空气中的氧化质量损失,提高了复合材料的抗氧化能力,边注入边沉积Al和同时全方位沉积Al和Si改性对复合材料抗氧化性能改善作用较小,边注入边沉积Si改性改善复合材料抗氧化性能的作用最小.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	成来飞	西北工业大学超高温结构复合材料国防科技重点实验室	259	2656	22.0	40.0
2	张立同	西北工业大学超高温结构复合材料国防科技重点实验室	248	2867	24.0	42.0
3	徐永东	西北工业大学超高温结构复合材料国防科技重点实验室	131	1982	23.0	37.0
4	沈季雄	西北工业大学超高温结构复合材料国防科技重点实验室	4	22	3.0	4.0
5	李舵	西北工业大学超高温结构复合材料国防科技重点实验室	2	6	2.0	2.0
6	吴守军	西北工业大学超高温结构复合材料国防科技重点实验室	5	43	4.0	5.0