IR推出最新型200V DirectFET MOSFET效率高达95％并可大幅节省占位空间

• 来源期刊: 电子元器件应用
• 学科: 工学
• 关键词: DIRECTFET 功率MOSFET IR 空间 占位 国际整流器公司 功率半导体 封装技术
• 年，卷（期）: 2006,（12）
• 页码范围: I0012
• 页数: 1页
• 分类号: TN432

摘要

全球功率半导体和管理方案供应商-国际整流器公司（International Rectifier．简称IR）日前推出了一款IRF6641TRPbF功率MOSFET，这种采用IR标准的DirectFET封装技术结合IR最新的200 VHEXFET MOSFET硅技术的新器件可实现95％的效率，并可大幅节省占位空间。