Xe原子吸附对GaAs(110)表面重构的影响

• 作者: 张栋文 戴佳钰 袁建民
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 密度泛函理论 表面结构 APW 表面原子吸附
• 年，卷（期）: 2006,（11）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:电子结构、电学、磁学和光学性质
• 页码范围: 6073-6079
• 页数: 7页
• 分类号: O4
• 字数: 3397字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-3290.2006.11.083

摘要

基于第一性原理的自洽场密度泛函理论(DFT)和广义梯度近似(GGA),利用缀加平面波加局域轨道(APW+lo)近似方法,建立了五层层晶超原胞模型,模拟了GaAs(110)表面结构和单个Xe原子在其表面的吸附.利用牛顿动力学方法,对GaAs(110)表面原子构形的弛豫和Xe原子在GaAs(110)表面的吸附进行了计算.从三种不同的初始构形出发,即Xe原子分别在Ga原子的顶位,As原子的顶位以及桥位,都发现Xe原子位于桥位时体系能量最低.由此,认为Xe原子在GaAs(110)表面的吸附位置在桥位,并且发现吸附Xe原子后GaAs(110)表面有趋向于理想表面的趋势,表面重构现象趋于消失,表面原子间键长有一定的恢复,这与理论预言相符合.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	袁建民	国防科学技术大学物理系	20	69	4.0	7.0
2	张栋文	国防科学技术大学物理系	6	54	4.0	6.0
3	戴佳钰	国防科学技术大学物理系	3	10	2.0	3.0