氢原子在Si低指数表面吸附的第一原理研究

• 作者: 仇桂珍 刘亚明 戴宪起
• 来源期刊: 河南科技学院学报（自然科学版）
• 学科: 物理学
• 关键词: 第一性原理 再构 氢吸附 表面形成能
• 年，卷（期）: 2007,（3）
• 所属期刊栏目: 化学化工
• 页码范围: 57-59
• 页数: 3页
• 分类号: O472
• 字数: 2455字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1673-6060-B.2007.03.021

摘要

利用局域密度近似第一性原理方法,研究了氢在Si低指数面(100)、(110)、(111)上的吸附结构.用两种不同的势(US-PP和PAW)对Si晶格常数优化,计算表明两种势对Si晶格常数的影响较小(仅为0.002 nm).US-PP势总能计算表明:对于Si体系,清洁Si表面的(111)面最稳定;随氢环境的改变(氢化学势的不同),表面稳定结构也随着变化,与实验结果相一致.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	戴宪起		42	133	6.0	9.0
2	刘亚明		11	19	3.0	4.0
3	仇桂珍		14	14	2.0	3.0