偏压值对纳米刻蚀影响的研究

• 作者: 任永强 周光茜 张英堂
• 来源期刊: 纺织高校基础科学学报
• 关键词: STM 纳米刻蚀 偏压值 高序石墨
• 年，卷（期）: 2007,（4）
• 所属期刊栏目: 物理学
• 页码范围: 408-411
• 页数: 4页
• 分类号: O57
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1006-8341.2007.04.020

摘要

STM的刻蚀机理是通过隧道电流引发局域化学反应,以达到刻蚀的目的.在刻蚀过程中,偏压值对针尖状态的影响相当大.本文以STM为手段,研究偏压值对高序石墨表面纳米刻蚀及针尖状态的影响.通过一系列改变偏压值的纳米刻蚀试验,结果表明,在偏压值为4 000mV不但刻蚀图像明显,而且对针尖状态的影响较少.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张英堂	西安工程大学理学院	16	24	3.0	4.0
2	周光茜	西安工程大学理学院	6	62	3.0	6.0
3	任永强	西安工程大学理学院	1	0	0.0	0.0