采用CMOS E类放大器实现功率控制的方法

• 作者: 池保勇 王志华 高同强
• 来源期刊: 清华大学学报（自然科学版）
• 学科: 工学
• 关键词: E类功率放大器 互补金属氧化物半导体(CMOS) 漏端调制 功率控制 传输线
• 年，卷（期）: 2007,（10）
• 所属期刊栏目: 电子工程
• 页码范围: 1669-1672
• 页数: 4页
• 分类号: TN72
• 字数: 2684字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-0054.2007.10.031

摘要

针对手持式无线通信产品对低成本、高效率收发机的需求,提出了一种将并联放大结构和放大器电源漏端调制相结合的功率控制方法.结合射频E类功率放大器的结构特点,采用CMOS工艺,达到了在大的输出功率范围内保持持续稳定高效率的目的.在设计中采用1/4波长传输线实现了大范围的功率联合与控制,而小范围的输出功率调节则通过改变E类功放的漏端电源电压完成.仿真结果表明:理想情况下当输出功率在140～700mW范围内变化时,联合放大器的功率增加效率均可保持在41%以上,最高可以达到47.9%.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王志华	清华大学微电子学研究所	183	1964	21.0	36.0
2	高同强	清华大学电子工程系	3	12	2.0	3.0
3	池保勇	清华大学微电子学研究所	40	271	9.0	15.0