采用氨化技术制备成簇生长的光滑线状氮化镓

• 作者: 孙传伟 孙莉莉 庄惠照 王福学 艾玉杰 薛成山
• 来源期刊: 微细加工技术
• 学科: 工学
• 关键词: GaN 磁控溅射 线状
• 年，卷（期）: 2007,（2）
• 所属期刊栏目: 薄膜技术
• 页码范围: 34-35,40
• 页数: 3页
• 分类号: TN304
• 字数: 1383字
• 语种: 中文

摘要

通过在1 000℃时氨化Ga2O3/MgO/Si(111)薄膜15 min,制备出成簇生长的光滑的长直线状GaN.用X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)和高分辨率电子显微镜(HRTEM)对样品进行测试分析.结果表明,线状GaN为六方纤锌矿结构单晶相,表面光滑,且成簇生长,直径在200 nm～400 nm左右,其长度可达5μm～20μm.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	庄惠照	山东师范大学半导体研究所	72	276	9.0	11.0
2	薛成山	山东师范大学半导体研究所	117	476	11.0	13.0
3	孙莉莉	山东师范大学半导体研究所	8	7	2.0	2.0
4	艾玉杰	山东师范大学半导体研究所	13	18	3.0	3.0
5	王福学	山东师范大学半导体研究所	12	17	3.0	3.0
6	孙传伟	济南大学信息科学与工程学院	10	36	3.0	5.0