金属掺杂多孔硅薄膜的制备及荧光光谱研究

• 作者: 孙小菁 徐小丽 马书懿 魏晋军
• 来源期刊: 西北师范大学学报（自然科学版）
• 学科: 工学
• 关键词: 金属掺杂多孔硅 电化学 光致发光 X射线衍射 红外吸收
• 年，卷（期）: 2007,（6）
• 所属期刊栏目: 物理学
• 页码范围: 38-41
• 页数: 4页
• 分类号: O469|TB383
• 字数: 3032字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-988X.2007.06.010

摘要

用电化学方法对多孔硅薄膜进行了金属掺杂.用荧光分光光度计分析了样品的光致发光特性,结果表明,适量的金属掺杂增强了多孔硅的红光发射,氧化性金属掺杂还增强了多孔硅的蓝光发射,还原性金属掺杂却无此现象.红外吸收谱表明,金属掺杂多孔硅后Si-O-Si键振动增强.XRD谱表明,氧化性金属掺杂后多孔硅的无定形程度增强.对分析结果的解释为:红光增强是金属掺杂引入新的缺陷和硅、氧、金属间新的键态Si-Metal,Metal-O,Metal-Metal所致,而蓝光增强是无定形程度增强,应力增大和进一步氧化所致.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	马书懿	西北师范大学物理与电子工程学院	69	226	8.0	11.0
2	徐小丽	西北师范大学物理与电子工程学院	10	63	4.0	7.0
3	孙小菁	西北师范大学物理与电子工程学院	10	65	4.0	8.0
4	魏晋军	西北师范大学物理与电子工程学院	19	66	4.0	8.0