p型ZnO及ZnO基发光器件研究进展

• 作者: 夏继周 崔传文 张敬尧 张月甫 张秋霞 李玉国 王建波
• 来源期刊: 微纳电子技术
• 学科: 工学
• 关键词: 半导体技术 P型掺杂 综述 ZnO薄膜 发光器件
• 年，卷（期）: 2007,（9）
• 所属期刊栏目: 纳米器件与技术
• 页码范围: 857-862
• 页数: 6页
• 分类号: TN304.21|TN312.8
• 字数: 5321字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1671-4776.2007.09.003

摘要

六角纤锌矿结构ZnO是一种应用广泛的直接宽带隙(3.36 eV,300K)半导体材料,其优异的光电、压电等性能使其成为近10年来全世界半导体研究的热点.综述了自1997年以来ZnO的P型掺杂以及ZnO基发光器件方面的研究成果.比较了不同方法制备的P型ZnO材料和发光器件的性能差异,分析了造成各种差异的原因,并针对当前研究提出了一些建议和预测.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	夏继周		6	19	2.0	4.0
2	李玉国		5	16	3.0	3.0
3	王建波		3	9	2.0	3.0
4	张秋霞		3	9	2.0	3.0
5	张月甫		2	6	1.0	2.0
6	崔传文		2	6	1.0	2.0