单电子存储器存储时间的Monte Carlo模拟

• 作者: 卢刚 李静
• 来源期刊: 西安理工大学学报
• 学科: 工学
• 关键词: 单电子存储器 Monte Carlo模拟 存储时间
• 年，卷（期）: 2007,（4）
• 页码范围: 375-378
• 页数: 4页
• 分类号: TN3024
• 字数: 3352字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1006-4710.2007.04.009

摘要

建立了多隧道结单电子存储器存储时间的Monte Carlo模拟模型,重点分析了器件的工作温度、隧道结电容和隧道结数目等因素对单电子存储器存储时间的影向,给出了用Monte Carlo模拟方法模拟单电子存储器存储时间的模拟流程和方法.计算结果表明,当温度越低、隧道结电容越小、电路中隧道结的数目越多时,存储时间越长,器件工作越稳定.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	卢刚	西安理工大学自动化与信息工程学院	16	38	3.0	5.0
2	李静	西安理工大学自动化与信息工程学院	15	45	3.0	6.0