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摘要:
用X射线光电子能谱(XPS)研究了3.0 keV Ar离子轰击高定向裂解石墨(HOPG)引起的表面结构的变化.通过对C1s、C KLL及C2s谱峰形状的定性和定量分析,表明Ar离子轰击将破坏共价π键并导致表面局域sp2杂化C键向sp3杂化C键转化.sp3/sp2之比依赖于离子轰击时间.
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文献信息
篇名 Ar离子轰击高定向石墨表面结构变化的X射线光电子能谱分析
来源期刊 新型炭材料 学科 工学
关键词 表面分析 Ar离子轰击 高定向裂解石墨 X射线光电子能谱
年,卷(期) 2007,(4) 所属期刊栏目 研究简报
研究方向 页码范围 379-382
页数 4页 分类号 TQ165
字数 2677字 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.1007-8827.2007.04.017
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 黄宗坦 10 57 3.0 7.0
2 杨培志 21 189 8.0 13.0
3 刘黎明 24 160 7.0 12.0
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研究主题发展历程
节点文献
表面分析
Ar离子轰击
高定向裂解石墨
X射线光电子能谱
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
新型炭材料
双月刊
1007-8827
14-1116/TQ
16开
太原市165信箱
1985
chi
出版文献量(篇)
1787
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3
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28123
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