双极晶体管的低剂量率辐射损伤增强效应

• 作者: 尹雪梅 师谦 李斌
• 来源期刊: 电子质量
• 关键词: 低剂量率 电离辐射 双极晶体管 抗辐射加固
• 年，卷（期）: 2007,（11）
• 所属期刊栏目: 检测与制作
• 页码范围: 25-28
• 页数: 4页
• 分类号: TN321
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-0107.2007.11.008

摘要

在辐射的剂量率范围内,无论是国产还是进1:21的双极晶体管,都有明显的低剂量率辐照损伤增强现象,且纵向NPN管比PNP管严重.本文对引起双极器件辐照损伤差异的机理进行了探讨,并讨论了双极器件的抗辐射加固技术.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李斌	华南理工大学微电子研究所	128	542	12.0	17.0
2	师谦		11	64	5.0	8.0
3	尹雪梅	华南理工大学微电子研究所	1	10	1.0	1.0