硅基半导体中埋置硅量子点的低温生长与发光研究

• 作者: 马利波 黄娆
• 来源期刊: 山西大学学报（自然科学版）
• 学科: 物理学
• 关键词: 硅 量子点 光致发光I量子限域效应
• 年，卷（期）: 2007,（2）
• 所属期刊栏目: 物理学
• 页码范围: 193-200
• 页数: 8页
• 分类号: O472
• 字数: 4173字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.0253-2395.2007.02.013

摘要

在硅基半导体中埋置的硅量子点因量子限域效应而具有光致发光的性能,是一种实现硅基光电集成很有前途的材料.文章介绍了此类复合薄膜的可控生长,并对其发光进行了研究.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	黄娆	中国科学院物理研究所	10	86	3.0	9.0
2	马利波	中国科学院物理研究所	2	5	1.0	2.0