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摘要:
采用氧化钒薄膜、低应力介质膜和CMOS读出电路技术,研制了单片式128×1非致冷焦平面.氧化钒薄膜的制备采用了一种新的方法,焦平面的信号读出采用了CTIA积分方式.应用一种双频PECVD技术制备了低应力氮化硅薄膜,有效改善了微桥的平整度.通过氮化硅和氧化钒薄膜自身的红外吸收,焦平面在8~14μm波段的平均响应率达到8.2 ×104V/W,平均D·达到2.3×108 cmHz1/2/w.焦平面的均匀性需要进一步改善.
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关键词云
关键词热度
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文献信息
篇名 单片式128×1氧化钒微测辐射热计非致冷焦平面的研制
来源期刊 红外与毫米波学报 学科 工学
关键词 非致冷焦平面 氧化钒 低应力氮化硅 微桥
年,卷(期) 2007,(5) 所属期刊栏目
研究方向 页码范围 336-339,348
页数 5页 分类号 TN215|O484
字数 3701字 语种 中文
DOI 10.3321/j.issn:1001-9014.2007.05.005
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 梁平治 中国科学院上海技术物理研究所 28 252 9.0 15.0
2 陈永平 中国科学院上海技术物理研究所 25 98 6.0 8.0
3 刘强 中国科学院上海技术物理研究所 235 4502 28.0 60.0
4 施永明 中国科学院上海技术物理研究所 2 10 2.0 2.0
5 唐成伟 中国科学院上海技术物理研究所 2 3 1.0 1.0
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研究主题发展历程
节点文献
非致冷焦平面
氧化钒
低应力氮化硅
微桥
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
红外与毫米波学报
双月刊
1001-9014
31-1577/TN
大16开
上海市玉田路500号
4-335
1982
chi
出版文献量(篇)
2620
总下载数(次)
3
总被引数(次)
28003
论文1v1指导