X波段低温低噪声宽带放大器的研究

• 作者: 吴东升 邓红斌
• 来源期刊: 电子器件
• 学科: 工学
• 关键词: 放大器 低噪声 低温 HEMT
• 年，卷（期）: 2007,（2）
• 页码范围: 469-471
• 页数: 3页
• 分类号: TN722.2
• 字数: 2369字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1005-9490.2007.02.032

摘要

阐述利用HEMT微波器件在低温下噪声显著降低的特性,研制X波段低温低噪声放大器的过程.分析了在低温下HEMT器件良好的噪声特性和微带线插损显著降低的特点.采用微波宽带匹配技术,设计并制作出宽带低温低噪声放大器.在液氮温区,其主要性能指标为:工作频率8～10GHz,增益＞26dB,噪声系数≤0.4dB.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	吴东升	安徽建筑工业学院计算机与电子信息工程系	34	39	3.0	5.0
5	邓红斌		1	1	1.0	1.0