硅压阻式压力传感器温度补偿建模与算法研究

• 作者: 于海超 孙凤玲 方建雷 杨永刚 王金文
• 来源期刊: 微纳电子技术
• 学科: 工学
• 关键词: 硅压阻式压力传感器 漂移 惠斯顿电桥 补偿 优化
• 年，卷（期）: 2007,（7）
• 所属期刊栏目: 传感器理论及工艺
• 页码范围: 48-50
• 页数: 3页
• 分类号: TP212.1
• 字数: 2320字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1671-4776.2007.07.017

摘要

微电子技术的发展促进了硅传感器的加工工艺水平的提高,使硅传感器获得良好的一致性、稳定性和可靠性,而半导体的温度特性使硅压力传感器的零点和灵敏度随温度而发生漂移.针对硅压阻式压力传感器这一"弱点",介绍一种基于压力芯片的惠斯顿电桥建立外接电阻补偿网络的数学模型,利用MatLab优化工具箱提供的优化方法构建算法,对补偿电阻求解,实现对温度漂移的补偿.该方法更有助于基于硅压阻式压力芯片的OEM型产品的大规模量产.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	于海超	中国电子科技集团公司第四十九研究所	7	38	2.0	6.0
2	王金文	中国电子科技集团公司第四十九研究所	5	38	3.0	5.0
3	杨永刚	中国电子科技集团公司第四十九研究所	2	30	1.0	2.0
4	孙凤玲	中国电子科技集团公司第四十九研究所	3	29	1.0	3.0
5	方建雷	中国电子科技集团公司第四十九研究所	3	29	1.0	3.0