掺AlZnO纳米线阵列的光致发光特性研究

• 作者: 唐斌 税正伟 邓宏 郝昕 陈金菊 韦敏
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 光致发光 化学气相沉积(CVD) 激子 ZnO纳米线阵列
• 年，卷（期）: 2007,（9）
• 所属期刊栏目: 总论
• 页码范围: 5176-5179
• 页数: 4页
• 分类号: O4
• 字数: 1997字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-3290.2007.09.029

摘要

采用化学气相沉积方法,以金做催化剂,在Si (100)衬底上制备了掺AlZnO纳米线阵列.扫描电子显微镜(SEM)表征发现ZnO纳米线的直径在30 nm左右.X射线衍射(XRD)图谱上只存在ZnO的(002)衍射峰,说明ZnO纳米线沿c轴择优取向.掺AlZnO纳米线阵列的室温光致发光(PL)谱中出现了3个带边激子发射峰:373 nm,375 nm,389 nm.运用激子理论推算出掺AlZnO纳米线的禁带宽度为3.343 eV ,束缚激子结合能为0.156 eV;纯ZnO纳米线阵列PL谱中3个带边激子发射峰为377 nm,379 nm,389 nm.其禁带宽度为3.301 eV ,束缚激子结合能为0.113 eV.通过比较发现掺Al增大了ZnO纳米线的禁带宽度.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	陈金菊	电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室	36	309	11.0	16.0
2	唐斌	西南石油大学理学院	210	2076	24.0	33.0
6	邓宏	电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室	72	653	14.0	22.0
7	税正伟	西南石油大学理学院	21	84	5.0	8.0
8	郝昕	电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室	5	20	2.0	4.0
9	韦敏	电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室	15	131	7.0	11.0