论文降重
免费查重
推荐文章
45nm CMOS工艺下的低泄漏多米诺电路研究
多米诺逻辑
阈值电压
亚阈值泄漏
栅极氧化层
基于45nm SOI CMOS工艺的10bit、125MS/s过零检测Pipeline-SAR ADC设计
流水线模数转换器
逐次逼近
过零检测
高速动态比较器
低功耗
超浅结亚45nm MOSFET 亚阈值区二维电势模型
超浅结亚45nm MOSFET
二维电势半解析模型
亚阈值电流
45nm体硅工艺下使用双-栅氧化层厚度降低SRAM的泄漏功耗
栅极泄漏电流
SRAM
栅氧化层厚度
静态噪声边界
内容分析
关键词云
关键词热度
相关文献总数
(/次)
(/年)
文献信息
| 篇名 | 东芝等公司共同研发45nm系统LSI | ||
| 来源期刊 | 半导体信息 | 学科 | 工学 |
| 关键词 | 多层布线 LSI NM 绝缘膜 最小尺寸 电子材料 | ||
| 年，卷（期） | bdtxx_2007,（3） | 所属期刊栏目 | |
| 研究方向 | 页码范围 | 20-20 | |
| 页数 | 1页 | 分类号 | TN47 |
| 字数 | 语种 | ||
| DOI | |||
五维指标
引文网络
引文网络
二级参考文献 (0)
共引文献 (0)
参考文献 (0)
节点文献
引证文献 (0)
同被引文献 (0)
二级引证文献 (0)
2007(0)
- 参考文献(0)
- 二级参考文献(0)
- 引证文献(0)
- 二级引证文献(0)
研究主题发展历程
节点文献
多层布线
LSI
NM
绝缘膜
最小尺寸
电子材料
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
半导体信息
主办单位：
中国半导体行业协会分立器件分会
中国电子科技集团公司第五十五研究所
出版周期：
双月刊
ISSN：
CN：
开本：
16开
出版地：
南京市1601信箱43分箱（南京市中山东
邮发代号：
创刊时间：
1990
语种：
chi
出版文献量（篇）
5953
总下载数（次）
11
期刊文献
相关文献
推荐文献
