高介电常数栅介质的性能及与硅衬底间的界面稳定性

• 作者: 屠海令 杜军
• 来源期刊: 稀有金属
• 学科: 工学
• 关键词: 高k栅介质 性能 界面 硅技术
• 年，卷（期）: 2007,（3）
• 页码范围: 265-278
• 页数: 14页
• 分类号: TN304
• 字数: 11722字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.0258-7076.2007.03.001

摘要

二氧化硅由于具有良好的绝缘性能及稳定的硅/二氧化硅界面而长期用于硅集成电路的制备.然而对于纳米线宽的集成电路,需要寻找新的高介电常数(高k)的栅极介质材料代替二氧化硅,以保持一定的物理厚度和优良的耐压及漏电性能.这些栅极候选材料必须有较高的介电常数,合适的禁带宽度,高质量的表面形貌和热稳定性并与硅衬底间有良好界面.此外,其制备加工技术最好能与现行的硅集成电路工艺相兼容.本文从固体物理和材料科学理论出发,阐述选择高k栅介质材料的基本原则,介绍目前研究的材料体系、制备方法、材料性能以及界面稳定性,并展望了这些高k栅介质材料的应用前景.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杜军	北京有色金属研究总院先进电子材料研究所半导体材料国家工程研究中心	75	496	13.0	17.0
2	屠海令	北京有色金属研究总院先进电子材料研究所半导体材料国家工程研究中心	42	224	8.0	12.0