作为高介电常数栅介质材料的LaErO3薄膜热稳定性和电学性质的研究

• 作者: 张九如 殷江
• 来源期刊: 南京大学学报（自然科学版）
• 学科: 物理学
• 关键词: 高介电常数栅介质材料 脉冲激光淀积 薄膜
• 年，卷（期）: 2009,（2）
• 所属期刊栏目: 先进材料测试及表征专栏
• 页码范围: 147-152
• 页数: 6页
• 分类号: O484.42
• 字数: 2663字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0469-5097.2009.02.007

摘要

采用脉冲激光淀积法在硅衬底上生长了LaErO3薄膜,用X射线衍射仪、X射线电子能谱仪、高分辨透射电子显微镜研究了该薄膜的热学和电学性质.通过电容-电压测量得到了较好的电容-电压曲线,计算得出等效SiO2厚度为1.4 nm.通过高分辨电镜可以看出即使经过700℃30 s N2中快速热退火处理LaErO3薄膜与硅衬底之间的反应层也仅有几个原子层的厚度.X射线电子能谱分析得到非常少量的SiO2在沉积的过程中形成.测量的热学和电学性质表明LaErO3薄膜是高介电常数栅介质材料非常有前途的候选材料.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	殷江	南京大学物理系	9	81	2.0	9.0
2	张九如	江苏大学理学院	15	34	3.0	5.0