钛学术
文献服务平台
学术出版新技术应用与公共服务实验室出品
首页
论文降重
免费查重
学术期刊
学术导航
任务中心
论文润色
登录
文献导航
学科分类
>
综合
工业技术
科教文艺
医药卫生
基础科学
经济财经
社会科学
农业科学
哲学政法
社会科学II
哲学与人文科学
社会科学I
经济与管理科学
工程科技I
工程科技II
医药卫生科技
信息科技
农业科技
数据库索引
>
中国科学引文数据库
工程索引(美)
日本科学技术振兴机构数据库(日)
文摘杂志(俄)
科学文摘(英)
化学文摘(美)
中国科技论文统计与引文分析数据库
中文社会科学引文索引
科学引文索引(美)
中文核心期刊
中国科学引文数据库
工程索引(美)
日本科学技术振兴机构数据库(日)
文摘杂志(俄)
科学文摘(英)
化学文摘(美)
中国科技论文统计与引文分析数据库
中文社会科学引文索引
科学引文索引(美)
中文核心期刊
中国科学引文数据库
工程索引(美)
日本科学技术振兴机构数据库(日)
文摘杂志(俄)
科学文摘(英)
化学文摘(美)
中国科技论文统计与引文分析数据库
中文社会科学引文索引
科学引文索引(美)
中文核心期刊
cscd
ei
jst
aj
sa
ca
cstpcd
cssci
sci
cpku
cscd
ei
jst
aj
sa
ca
cstpcd
cssci
sci
cpku
cscd
ei
jst
aj
sa
ca
cstpcd
cssci
sci
cpku
默认
篇关摘
篇名
关键词
摘要
全文
作者
作者单位
基金
分类号
搜索文章
搜索思路
钛学术文献服务平台
\
学术期刊
\
工业技术期刊
\
化学工业期刊
\
无机材料学报期刊
\
飞秒激光沉积β-FeSi2/Si半导体膜及光学性能研究
飞秒激光沉积β-FeSi2/Si半导体膜及光学性能研究
作者:
周幼华
杨义发
杨光
郑启光
陆培祥
基本信息来源于合作网站,原文需代理用户跳转至来源网站获取
β-FeSi2
飞秒
脉冲激光沉积法(PLD)
光致发光
摘要:
采用飞秒脉冲激光沉积法在Si(100)和Si(111)单晶基片上制备了均匀的单相β-FeSi2薄膜;用X射线衍射(XRD),场扫描电镜(FESEM),能谱仪(EDX),傅立叶红外拉曼谱仪(FTRIS)研究了薄膜的结构、组分、表面形貌和光学性能.观察到了β-FeSi2在Si单晶基片上的生长与晶面取向有关的证据,并在室温(20℃)下观测到β-FeSi2薄膜的光致发光,其发光波长为1.53μm;在氩离子514nm激光的激发下,在192.0和243.9cm-1等位置观察到β-FeSi2的拉曼散射峰.
暂无资源
收藏
引用
分享
推荐文章
β-FeSi2的高压研究
β-FeSi2
高压
同步辐射
β-FeSi2半导体薄膜的研究进展
β-FeSi2
半导体薄膜
Si基发光
机械合金化法制备Co掺杂β-FeSi2热电材料
β-FeSi2
机械合金化
X射线衍射
热电性能
掺杂
β-FeSi2热电材料的机械合金化制备
β-FeSi2
机械合金化
X射线衍射
热电性能
内容分析
文献信息
引文网络
相关学者/机构
相关基金
期刊文献
内容分析
关键词云
关键词热度
相关文献总数
(/次)
(/年)
文献信息
篇名
飞秒激光沉积β-FeSi2/Si半导体膜及光学性能研究
来源期刊
无机材料学报
学科
物理学
关键词
β-FeSi2
飞秒
脉冲激光沉积法(PLD)
光致发光
年,卷(期)
2007,(3)
所属期刊栏目
研究论文
研究方向
页码范围
545-549
页数
5页
分类号
O484
字数
2560字
语种
中文
DOI
10.3321/j.issn:1000-324X.2007.03.034
五维指标
作者信息
序号
姓名
单位
发文数
被引次数
H指数
G指数
1
郑启光
华中科技大学激光技术国家重点实验室
32
305
10.0
15.0
2
陆培祥
华中科技大学激光技术国家重点实验室
44
232
9.0
12.0
3
杨光
华中科技大学激光技术国家重点实验室
50
460
11.0
20.0
4
周幼华
华中科技大学激光技术国家重点实验室
12
68
6.0
7.0
8
杨义发
华中科技大学激光技术国家重点实验室
3
15
3.0
3.0
传播情况
被引次数趋势
(/次)
(/年)
引文网络
引文网络
二级参考文献
(0)
共引文献
(0)
参考文献
(5)
节点文献
引证文献
(8)
同被引文献
(3)
二级引证文献
(7)
1991(1)
参考文献(1)
二级参考文献(0)
1994(1)
参考文献(1)
二级参考文献(0)
2001(1)
参考文献(1)
二级参考文献(0)
2002(1)
参考文献(1)
二级参考文献(0)
2006(1)
参考文献(1)
二级参考文献(0)
2007(2)
参考文献(0)
二级参考文献(0)
引证文献(2)
二级引证文献(0)
2007(2)
引证文献(2)
二级引证文献(0)
2008(1)
引证文献(1)
二级引证文献(0)
2009(2)
引证文献(1)
二级引证文献(1)
2010(3)
引证文献(1)
二级引证文献(2)
2011(3)
引证文献(1)
二级引证文献(2)
2014(1)
引证文献(1)
二级引证文献(0)
2015(2)
引证文献(0)
二级引证文献(2)
2016(1)
引证文献(1)
二级引证文献(0)
研究主题发展历程
节点文献
β-FeSi2
飞秒
脉冲激光沉积法(PLD)
光致发光
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
无机材料学报
主办单位:
中国科学院上海硅酸盐研究所
出版周期:
月刊
ISSN:
1000-324X
CN:
31-1363/TQ
开本:
16开
出版地:
上海市定西路1295号
邮发代号:
4-504
创刊时间:
1986
语种:
chi
出版文献量(篇)
4760
总下载数(次)
8
总被引数(次)
61689
期刊文献
相关文献
1.
β-FeSi2的高压研究
2.
β-FeSi2半导体薄膜的研究进展
3.
机械合金化法制备Co掺杂β-FeSi2热电材料
4.
β-FeSi2热电材料的机械合金化制备
5.
纳米β-FeSi2/a-Si多层膜室温光致发光分析
6.
两层FeSi2非均匀掺杂梯度材料热电性能研究
7.
磁控溅射法合成纳米β-FeSi2/a-Si多层结构
8.
场激活合成法制备热电材料β-FeSi2
9.
Si空位缺陷对β-FeSi2电子结构和光学性质影响的研究
10.
溅射时间对脉冲激光沉积制备β-FeSi2薄膜的影响
11.
β-FeSi2/Si薄膜位向关系的计算
12.
掺杂半导体β-FeSi2电子结构及几何结构第一性原理研究
13.
小功率高稳定半导体激光电源
14.
半导体激光起爆炸药试验与仿真研究
15.
半导体与CO2光斑模式下激光熔覆工艺
推荐文献
钛学术
文献服务平台
学术出版新技术应用与公共服务实验室出品
首页
论文降重
免费查重
学术期刊
学术导航
任务中心
论文润色
登录
根据相关规定,获取原文需跳转至原文服务方进行注册认证身份信息
完成下面三个步骤操作后即可获取文献,阅读后请
点击下方页面【继续获取】按钮
钛学术
文献服务平台
学术出版新技术应用与公共服务实验室出品
原文合作方
继续获取
获取文献流程
1.访问原文合作方请等待几秒系统会自动跳转至登录页,首次访问请先注册账号,填写基本信息后,点击【注册】
2.注册后进行实名认证,实名认证成功后点击【返回】
3.检查邮箱地址是否正确,若错误或未填写请填写正确邮箱地址,点击【确认支付】完成获取,文献将在1小时内发送至您的邮箱
*若已注册过原文合作方账号的用户,可跳过上述操作,直接登录后获取原文即可
点击
【获取原文】
按钮,跳转至合作网站。
首次获取需要在合作网站
进行注册。
注册并实名认证,认证后点击
【返回】按钮。
确认邮箱信息,点击
【确认支付】
, 订单将在一小时内发送至您的邮箱。
*
若已经注册过合作网站账号,请忽略第二、三步,直接登录即可。
期刊分类
期刊(年)
期刊(期)
期刊推荐
一般工业技术
交通运输
军事科技
冶金工业
动力工程
化学工业
原子能技术
大学学报
建筑科学
无线电电子学与电信技术
机械与仪表工业
水利工程
环境科学与安全科学
电工技术
石油与天然气工业
矿业工程
自动化技术与计算机技术
航空航天
轻工业与手工业
金属学与金属工艺
无机材料学报2022
无机材料学报2021
无机材料学报2020
无机材料学报2019
无机材料学报2018
无机材料学报2017
无机材料学报2016
无机材料学报2015
无机材料学报2014
无机材料学报2013
无机材料学报2012
无机材料学报2011
无机材料学报2010
无机材料学报2009
无机材料学报2008
无机材料学报2007
无机材料学报2006
无机材料学报2005
无机材料学报2004
无机材料学报2003
无机材料学报2002
无机材料学报2001
无机材料学报2000
无机材料学报1999
无机材料学报2007年第6期
无机材料学报2007年第5期
无机材料学报2007年第4期
无机材料学报2007年第3期
无机材料学报2007年第2期
无机材料学报2007年第1期
关于我们
用户协议
隐私政策
知识产权保护
期刊导航
免费查重
论文知识
钛学术官网
按字母查找期刊:
A
B
C
D
E
F
G
H
I
J
K
L
M
N
O
P
Q
R
S
T
U
V
W
X
Y
Z
其他
联系合作 广告推广: shenyukuan@paperpass.com
京ICP备2021016839号
营业执照
版物经营许可证:新出发 京零 字第 朝220126号