磁控溅射法合成纳米β-FeSi2/a-Si多层结构

• 作者: 姜辛 李晓娜 胡冰 董闯
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: β-FeSi2 磁控溅射 透射电子显微镜 半导体薄膜
• 年，卷（期）: 2007,（12）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:结构、热学和力学性质
• 页码范围: 7188-7194
• 页数: 7页
• 分类号: O4
• 字数: 4632字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-3290.2007.12.063

摘要

β-FeSi2作为一种环境友好的半导体材料,颗粒化及非晶化正在成为提高其应用性能和改善薄膜质量、膜基界面失配度的有效途径.利用射频磁控溅射法在单晶Si基体上沉积Fe/Si多层膜,合成纳米β-FeSi2/Si多层结构.通过透射电子显微镜、高分辨电子显微术等分析手段,研究了多层结构和制备工艺之间的相互关系.研究结果表明,采用磁控溅射Fe/Si多层膜的方法,不需要退火就可以直接沉积得到β-FeSi2相小颗粒.β-FeSi2相颗粒尺寸在20 nm以下,小的颗粒尺寸导致发光蓝移,带隙宽度变大,Edg值约为0.94 eV.经过850 ℃的真空退火处理后,β-FeSi2相没有发生改变,颗粒尺寸变大、蓝移效果消失,β-FeSi2相小颗粒的尺寸仍小于100 nm,结构的稳定性较好.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	董闯	大连理工大学材料科学与工程学院三束材料改性国家重点实验室	198	2023	23.0	34.0
2	李晓娜	大连理工大学材料科学与工程学院三束材料改性国家重点实验室	25	152	7.0	11.0
3	姜辛	大连理工大学材料科学与工程学院三束材料改性国家重点实验室	11	74	6.0	8.0
4	胡冰	大连理工大学材料科学与工程学院三束材料改性国家重点实验室	4	22	2.0	4.0