温度对硅纳米薄膜杨氏模量的影响

• 作者: 于虹 刘同庆 谭一云 黄庆安
• 来源期刊: 电子器件
• 学科: 物理学
• 关键词: 杨氏模量 硅{100}表面 (2×1)dimer重构 分子动力学
• 年，卷（期）: 2007,（3）
• 页码范围: 755-758
• 页数: 4页
• 分类号: O472.1
• 字数: 3803字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1005-9490.2007.03.007

摘要

采用分子动力学方法计算了100 K、300 K、400 K和500 K四个温度下硅纳米薄膜[110]与[11-0]两个方向上的杨氏模量.结果表明,[110]与[11-0]两个方向杨氏模量有较大差别,约为25 GPa;[110]与[11-0]的杨氏模量随温度变化的斜率几乎一样,为-0.007 Gpa/K.研究还表明,[110]与[11-0]两个方向具有几乎相等的热膨胀系数,量级在10-6/K.