Co2O3掺杂0.85PZT-0.15PZN压电陶瓷的性能

• 作者: 周东祥 庄志强 邓毅华
• 来源期刊: 华中科技大学学报（自然科学版）
• 学科: 工学
• 关键词: 压电陶瓷 Co2O3掺杂 介电损耗因子
• 年，卷（期）: 2007,（4）
• 页码范围: 69-71,77
• 页数: 4页
• 分类号: TN305.3
• 字数: 2709字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1671-4512.2007.04.021

摘要

研究了添加Co2O3对0.85PZT-0.15PZN陶瓷的压电和介电性能的影响.研究结果表明:随着Co2O3掺杂量从0增加到0.4%,介电损耗因子tanδ大幅降低,同时压电常数d33和介电常数εr降低.当添加质量分数为0.4%的Co2O3时,tanδ,d33,εr分别由未掺杂时的0.024,360 pC/N,1 100降低到0.003,220 pC/N,600.当添加Co2O3超过0.4%时,d33,εr,tanδ的下降趋于平缓;当添加Co2O3超过0.7%时,陶瓷的漏电流增加,难以极化.实验发现,添加质量分数为0.4%的Co2O3比未掺杂陶瓷的烧成温度降低了近100℃,并且形成了晶粒尺度在1.O～2.5μm均匀致密的陶瓷.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	邓毅华	华南理工大学材料科学与工程学院	6	71	5.0	6.0
2	庄志强	华南理工大学材料科学与工程学院	61	663	13.0	23.0
3	周东祥	华中科技大学电子科学与技术系	161	1320	16.0	25.0