添加SeO2对电沉积纳米晶Cu的影响

• 作者: 张含卓 江中浩 连建设
• 来源期刊: 材料保护
• 学科: 工学
• 关键词: SeO2 电沉积 纳米晶 铜 形貌 微观结构 显微硬度
• 年，卷（期）: 2007,（8）
• 所属期刊栏目: 工艺技术
• 页码范围: 46-47,70
• 页数: 3页
• 分类号: TQ153.1
• 字数: 1858字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-1560.2007.08.015

摘要

采用扫描电镜、X射线衍射等方法,研究了SeO2作为添加剂对直流电沉积纳米晶Cu表面形貌、微观结构和硬度的影响.结果表明,加入O.02 g/L SeO2可使沉积层表面平整致密,沉积Cu层的(111)晶面择优取向程度上升,晶粒尺寸减小至27.9 nm左右,显微硬度升至277 HV,约为粗晶铜硬度的6倍.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	连建设	吉林大学汽车材料教育部重点实验室	48	502	12.0	20.0
2	江中浩	吉林大学汽车材料教育部重点实验室	26	258	10.0	15.0
3	张含卓	吉林大学汽车材料教育部重点实验室	5	19	3.0	4.0