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PVT法制备4英寸碳化硅单晶研究
4英寸
碳化硅
横向延展
计算机模拟
碳化硅及碳化硅制品
碳化硅
粉体合成
碳化硅制品
内容分析
关键词云
关键词热度
相关文献总数  
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文献信息
篇名 中国成功研制了3英寸碳化硅单晶
来源期刊 半导体信息 学科 工学
关键词 硅单晶 晶体材料 产业化基础 国家重点实验室 温场 《科技日报》 生长技术 优化设计
年,卷(期) 2007,(4) 所属期刊栏目
研究方向 页码范围 17-17
页数 1页 分类号 TN304
字数 语种
DOI
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传播情况
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引文网络
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研究主题发展历程
节点文献
硅单晶
晶体材料
产业化基础
国家重点实验室
温场
《科技日报》
生长技术
优化设计
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
半导体信息
双月刊
16开
南京市1601信箱43分箱(南京市中山东
1990
chi
出版文献量(篇)
5953
总下载数(次)
11
总被引数(次)
664
论文1v1指导