薄膜体声波谐振器(FBAR)技术及其应用

• 作者: 何杰 刘荣贵 马晋毅
• 来源期刊: 压电与声光
• 学科: 工学
• 关键词: 薄膜体声波谐振器 Q值 功率承受能力 高频应用 IC技术
• 年，卷（期）: 2007,（4）
• 所属期刊栏目: 声表面波技术
• 页码范围: 379-382,385
• 页数: 5页
• 分类号: TN65
• 字数: 4757字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1004-2474.2007.04.003

摘要

薄膜体声波器件具有体积小,成本低,品质因数(Q)高,功率承受能力强,频率高且与IC技术兼容等特点,适合于工作在1～10 GHz的RF系统应用,有望在未来的无线通讯系统中取代传统的声表面波(SAW)器件和微波陶瓷器件.该文综合阐述了薄膜体声波技术的基本原理、最新发展及应用.分析了FBAR器件的三种结构及其制作方法.还简要讨论了薄膜体声波技术的未来发展趋势及面临的挑战.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	马晋毅		19	194	9.0	13.0
2	何杰		1	22	1.0	1.0
3	刘荣贵		1	22	1.0	1.0