Si3P4各种相的结构、电子和弹性性质

• 作者: A.S.Ahamed 袁宏宽 陈洪
• 来源期刊: 西南大学学报（自然科学版）
• 学科: 物理学
• 关键词: 磷化硅 稳定性 能带结构 硬度
• 年，卷（期）: 2007,（5）
• 所属期刊栏目: 数理科学与化学
• 页码范围: 1-8
• 页数: 8页
• 分类号: O471.1
• 字数: 2190字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1673-9868.2007.05.001

摘要

采用密度泛函理论的定域密度和一般梯度近似,研究了Si3P4 5个相的结构、电子和弹性性质.考虑的Si3P4结构包括分别具有空间群P63/m,Fd-3m,P-42m,IM-3M,P-43m的β,γ,膺立方、立方和缺损立方相.总的能量计算表明,具有缺损闪锌矿结构的膺立方和缺损立方相相对于其它相能量最低,因而是最稳定的2个相.弹性常数计算表明,两个相对稳定的相有大的应变模量,因而结构上较硬.能带结构和分波态密度计算表明,在两种近似下,膺立方和缺损立方是半导体,而β,γ和立方相是金属.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	陈洪	西南大学物理科学与技术学院	25	103	5.0	9.0
2	袁宏宽	西南大学物理科学与技术学院	7	13	3.0	3.0
3	A.S.Ahamed	西南大学物理科学与技术学院	1	1	1.0	1.0