声表面波在AlN/GaN中的传播特性分析

• 作者: 冯士维 荆二荣 郝伟
• 来源期刊: 材料导报
• 学科: 工学
• 关键词: 声表面波 矩阵方法 相速 机电耦合系数
• 年，卷（期）: 2007,（6）
• 所属期刊栏目: 材料综述
• 页码范围: 21-22,34
• 页数: 3页
• 分类号: TN65
• 字数: 2012字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1005-023X.2007.06.006

摘要

从矩阵方法的基本原理出发,结合AlN/GaN结构的机械和电学边界条件,推导出用于求解声表面波在AlN/GaN结构中的相速的行列式方程.通过求解该行列式方程,分析了声表面波在AlN/GaN结构中的传播特性,包括声表面波相速和机电耦合系数随频率、AlN的膜厚和c轴取向的变化规律.AlN/GaN结构减弱了GaN中施主杂质的影响,使该结构更适合于声表面波器件的应用,AlN和GaN作为半导体压电材料,其AlN/GaN结构便于与其它电路集成化,有利于减小器件的尺寸,增强声表面波器件的功能.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	郝伟	北京工业大学应用数理学院	34	108	5.0	9.0
2	冯士维	北京工业大学电子信息与控制工程学院	59	438	12.0	18.0
3	荆二荣	北京工业大学应用数理学院	1	2	1.0	1.0