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SiC陶瓷的SPS烧结机理研究
SiC陶瓷的SPS烧结机理研究
作者:
倪川浩
冯超
徐强
曹建岭
朱时珍
王富耻
赵俊峰
基本信息来源于合作网站,原文需代理用户跳转至来源网站获取
SiC陶瓷
放电等离子烧结
烧结机理
摘要:
利用放电等离子烧结炉在不同温度下对SiC陶瓷进行烧结,烧结温度分别为1250、1450、1650、1850 ℃,升温速度均为200 ℃/min,升到温度后立即冷却.基于烧结后SiC陶瓷的扫描电镜观察,对SiC陶瓷的放电等离子烧结机理进行了初步探讨.研究结果表明,随着烧结温度的提高,SiC陶瓷的致密化程度逐渐提高,在1250 ℃和1450 ℃烧结的试样微观组织中很难发现烧结现象,但在小颗粒间发生局部的烧结痕迹,在1650 ℃烧结的试样微观组织中存在小颗粒的烧结现象,大颗粒间仍然没有烧结,颗粒形貌基本保持原始粉末的形貌,而在1850 ℃烧结的试样微观组织中存在大量的烧结颈现象,而且颗粒形貌呈球形.因而SiC陶瓷的放电等离子烧结机理可能是低温下的焦耳热烧结机理和高温下的放电和焦耳热共同作用机理.
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期刊文献
内容分析
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关键词热度
相关文献总数
(/次)
(/年)
文献信息
篇名
SiC陶瓷的SPS烧结机理研究
来源期刊
稀有金属材料与工程
学科
工学
关键词
SiC陶瓷
放电等离子烧结
烧结机理
年,卷(期)
2007,(z1)
所属期刊栏目
研究方向
页码范围
341-343
页数
3页
分类号
TQ174
字数
2239字
语种
中文
DOI
10.3321/j.issn:1002-185x.2007.z1.100
五维指标
作者信息
序号
姓名
单位
发文数
被引次数
H指数
G指数
1
王富耻
北京理工大学材料科学与工程学院
253
2108
21.0
27.0
2
徐强
北京理工大学材料科学与工程学院
36
170
8.0
11.0
3
朱时珍
北京理工大学材料科学与工程学院
37
203
9.0
12.0
4
冯超
北京理工大学材料科学与工程学院
6
39
4.0
6.0
5
赵俊峰
北京理工大学材料科学与工程学院
4
37
4.0
4.0
6
曹建岭
北京理工大学材料科学与工程学院
4
37
4.0
4.0
7
倪川浩
北京理工大学材料科学与工程学院
2
21
2.0
2.0
传播情况
被引次数趋势
(/次)
(/年)
引文网络
引文网络
二级参考文献
(0)
共引文献
(0)
参考文献
(0)
节点文献
引证文献
(7)
同被引文献
(1)
二级引证文献
(2)
2007(0)
参考文献(0)
二级参考文献(0)
引证文献(0)
二级引证文献(0)
2012(1)
引证文献(1)
二级引证文献(0)
2013(1)
引证文献(1)
二级引证文献(0)
2015(3)
引证文献(3)
二级引证文献(0)
2016(2)
引证文献(1)
二级引证文献(1)
2017(1)
引证文献(1)
二级引证文献(0)
2020(1)
引证文献(0)
二级引证文献(1)
研究主题发展历程
节点文献
SiC陶瓷
放电等离子烧结
烧结机理
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
稀有金属材料与工程
主办单位:
中国有色金属学会
中国材料研究学会
西北有色金属研究院
出版周期:
月刊
ISSN:
1002-185X
CN:
61-1154/TG
开本:
大16开
出版地:
西安市51号信箱
邮发代号:
52-172
创刊时间:
1970
语种:
chi
出版文献量(篇)
12492
总下载数(次)
15
总被引数(次)
83844
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