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Intel的密室 45nm Penryn全国首测
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摘要：
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45nm CMOS工艺下的低泄漏多米诺电路研究
多米诺逻辑
阈值电压
亚阈值泄漏
栅极氧化层
基于45nm SOI CMOS工艺的10bit、125MS/s过零检测Pipeline-SAR ADC设计
流水线模数转换器
逐次逼近
过零检测
高速动态比较器
低功耗
超浅结亚45nm MOSFET 亚阈值区二维电势模型
超浅结亚45nm MOSFET
二维电势半解析模型
亚阈值电流
45nm体硅工艺下使用双-栅氧化层厚度降低SRAM的泄漏功耗
栅极泄漏电流
SRAM
栅氧化层厚度
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微型计算机
主办单位：
重庆西南信息有限公司
出版周期：
旬刊
ISSN：
1002-140X
CN：
50-1074/TP
开本：
出版地：
重庆市渝北区洪湖西路18号
邮发代号：
创刊时间：
语种：
chi
出版文献量（篇）
20842
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1
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