价层轨道平均能与掺杂二硼化镁体系临界电流密度的关系

• 作者: 孙爱民 张涛 张秀娥 朱海滨 杨国峰 王顺青 黄国海
• 来源期刊: 低温物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 价层轨道平均能 掺杂二硼化镁 临界电流密度
• 年，卷（期）: 2008,（3）
• 页码范围: 253-256
• 分类号: O51
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-3258.2008.03.015

摘要

本文研究了掺杂二硼化镁超导体系的原子价层轨道平均能IEMI与临界电流密度Jc之间的关系,发现它们之间有较好的规律性.全部阳离子和阴离子的价层轨道平均能的平均值主要集中在10.12eV至11.29eV之间,阳离子与阴离子价层轨道平均能的平均值之差IDEI几乎都集中在3.59eV至4.98eV之间.对于理解晶格上电子的静电作用与超导机理的联系是很有帮助的.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	孙爱民	西北师范大学物理与电子工程学院	43	44	4.0	5.0
2	杨国峰	西北师范大学物理与电子工程学院	6	12	1.0	3.0
3	张秀娥	西北师范大学物理与电子工程学院	9	14	1.0	3.0
4	朱海滨	西北师范大学物理与电子工程学院	15	27	3.0	4.0
5	王顺青	西北师范大学物理与电子工程学院	8	22	3.0	4.0
6	张涛	西北师范大学物理与电子工程学院	18	25	3.0	4.0
7	黄国海	西北师范大学物理与电子工程学院	11	24	3.0	4.0