2.5 V 19-ppm/℃的带隙基准电压源设计

• 作者: 吴秀龙 陈军宁 鲁世斌 黄智
• 来源期刊: 安徽大学学报（自然科学版）
• 学科: 工学
• 关键词: 带隙基准 电压源 CMOS 温度系数
• 年，卷（期）: 2008,（5）
• 页码范围: 41-43
• 页数: 3页
• 分类号: TN402
• 字数: 1401字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-2162.2008.05.012

摘要

论文在分析传统带隙基准源的基础上,设计了低电压输出的带隙基准电压源电路.采用Charter 0.35 μm 标准CMOS工艺,并用Mentor Graphics公司的Eldo仿真器对带隙基准电压源电路的电源特性、温度特性进行了仿真.该带隙基准电压源的温度系数为19-ppm/℃,在室温下当电源电压2.0~3.0V时,基准电压源输出电压为(915.4±0.15)mV,功耗小于0.2-mW.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	吴秀龙	安徽大学电子科学与技术学院	56	135	6.0	8.0
2	陈军宁	安徽大学电子科学与技术学院	160	1135	16.0	26.0
3	黄智	安徽大学电子科学与技术学院	3	3	1.0	1.0
4	鲁世斌	安徽大学电子科学与技术学院	6	7	2.0	2.0