半导体硅及硅基材料研究中的几个问题

• 作者: 屠海令
• 来源期刊: 上海金属
• 学科: 工学
• 关键词: 大直径硅单晶 硅基材料 缺陷 杂质
• 年，卷（期）: 2008,（5）
• 所属期刊栏目: 专论
• 页码范围: 1-7
• 页数: 7页
• 分类号: TN3
• 字数: 6708字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-7208.2008.05.001

摘要

叙述了大直径硅单晶生长,计算机数值模拟以及绝缘体上硅(SOI)、锗硅(SiGe)和应变硅等硅基材料的研究进展,讨论了硅中缺陷演化、杂质特性、缺陷工程和表面与界面质量控制,展望了后摩尔时代半导体硅及硅基材料的发展前景.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	屠海令		42	224	8.0	12.0