RF MEMS器件时变结构电磁特性数值计算方法

• 作者: 万江文 冯仁剑 吴银锋
• 来源期刊: 电工技术学报
• 学科: 工学
• 关键词: RF MEMS器件 电磁特性 时变结构 线性插值
• 年，卷（期）: 2008,（4）
• 所属期刊栏目: 电工理论
• 页码范围: 1-5
• 页数: 5页
• 分类号: TM154.3
• 字数: 2260字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-6753.2008.04.001

摘要

准确掌握射频微机电(RF MEMS)器件的电磁特性是WSN节点射频收发前端设计可靠与否的关键,为解决RF MEMS器件时变结构的电磁特性数值计算问题,建立了RF MEMS器件垂直运动结构的机电耦合模型,实现了模型的时域离散,在时域有限差分的基础上,提出电(磁)介质参数插值的新思路,详细阐述了线性电(磁)介质参数插值法的基本思想,并推导了一维线性插值的计算公式.仿真实验结果表明,该计算方法具有易实现、速度快、效率高的特点.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	冯仁剑	北京航空航天大学仪器科学与光电工程学院	35	363	12.0	17.0
2	万江文	北京航空航天大学仪器科学与光电工程学院	49	515	14.0	20.0
3	吴银锋	北京邮电大学自动化学院	6	136	3.0	6.0